价格维持不变，集成电路上可容纳的元件数目大约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将同步提升一倍。
过去几十年，芯片产业的进阶严格遵循这一人为约定，但当台积电宣布突破1nm制程的时候，摩尔定律在理论上已经走进了死胡同。
若要延续这一趋势，必须在底层材料上形成突破。
1、跳跃式升级
发展至今，半导体材料已历经多次迭代。
第一代半导体材料主要是硅和锗，上世纪60年代之后，硅基半导体逐渐成为主流，直到现在依然是应用最为广泛的半导体材料，全球95%以上的芯片是以硅片为基础材料制成的。
第二半导体材料的代表是砷化镓，可以制造更高频、高速的集成电路，但以目前的需求来看，砷化镓材料的禁带宽度依然较小。
第三代半导体材料应时代而生，以碳化硅、氮化镓为代表的材料可以制备耐高压、高频的功率器件，其中碳化硅是综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料。
碳化硅并非原有技术的渐进改良，而是一次跳跃式升级。
相同规格下，碳化硅基MOSFET的尺寸只有硅基MOSFET的1/10，导通电阻是后者的1/100。与硅基IGBT相比，碳化硅基MOSFET的总能量损耗可降低70%。
碳化硅的性能优势在各个新能源产业中体现的淋漓尽致。
应用在风力发电领域，可提高效率20%。
应用在光伏逆变器，可将转换效率从96%提升至99%以上，并且降低能量损耗超50%，提升设备循环寿命50倍。
最重要的是在新能源车上的应用。
2016年，在成本控制上近乎“变态”的特斯拉一反常态，率先在Model3的主逆变器上安了24个由意法半导体生产的碳化硅MOSFET功率模块。要知道，当时碳化硅功率器件的价格是同等硅器件的十倍。
后来的事实证明，马斯克的眼光还是一如既往的犀利。
根据福特汽车的测算，相比于传统硅芯片，由碳化硅制成芯片驱动的新能源汽车，能量损耗大约降低5倍左右。到目前为止，纯电动汽车中已有超40%以上采用SiC技术，自主品牌中第一个吃螃蟹的是比亚迪。
使用自主研发制造的SiCMOSFET控制模块后，比亚迪汉EV车型的性能在去年明显提升，功率达到363Kw，实现百公里加速3.9s，续航里程延长至605公里。
不只是新能源产业，碳化硅在家电、通讯、航空、高铁、工业电机等领域均有重大作用。
但直到现在，碳化硅的普及程度依然很低。
2、渐进式渗透
根据Yole的数据，2021年，第三代半导体基功率器件的市场占比只有约6%，其中SiC基功率器件占比5%左右，市场规模大约8.5亿美元。
性能好，但渗透率低，原因只有一个：贵。
CASA的数据显示，2020年，650V的SiCMOSFET与SiIGBT的价格比大约是4:1，SiC逆变器模块是硅基逆变器价格的2-3倍。
新能源产业附加值高，成本承受能力强，所以率先导入了第三代半导体材料，但很多行业价格敏感性高，只能等待成本的进一步下降。
对于任何一项新技术，成本都是左右产业化的核心变量。于碳化硅而言，碳粉提纯难度高、晶体生长缓慢、晶体切割速度慢等因素共同决定着成本刚性。
首先，高质量SiC晶体的基础是要有高纯度的碳粉，但提纯过程对工艺要求极高，合成也需要时间摸索。
其次，碳化硅晶体的生长速度非常慢。碳化硅7天才能生长2cm左右，作为对比，2-3天就能拉出约2m长的8英寸硅棒。
最后，由于碳化硅硬度高，不仅切割耗时长，而且良率低。一般来说，硅片的切割只需几小时，而碳化硅片则要上百小时。
技术降成本是一场持久战，这就注定了碳化硅的渗透是一个渐进式的过程，但随着衬底尺寸的抬升，规模效应给成本下降带来了极大改观。
碳化硅的衬底尺寸主要包括2英寸（50mm）、3英寸（75mm）、4英寸（100mm）、6英寸（150mm）、8英寸（200mm）等规格。尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，边缘的浪费也越小，均摊到单位芯片的成本就越低。
晶圆从6英寸提升到8英寸，芯片数量将从488增至845个，边缘浪费则由14%减至7%。
碳化硅主要分为半绝缘型和导电型，目前半绝缘型产品的主流衬底规格为4英寸，正在向6英寸迈进，导电型产品的主流衬底规格为6英寸，正在寻求向8英寸演进。
伴随技术的不断成熟和进步，碳化硅基的产品价格在过去多年已经实现了大幅下降。
上文提到650V的SiCMOSFET与SiIGBT的价格比大约是4:1，而在2018年，这一数字高达10:1。
业内给出的预估是，未来碳化硅器件的成本大约以每年10%左右的价格下降，这一过程势必会伴随更多消费场景的解锁。根据Yole的预测数据，到2025年，碳化硅器件将增长至25.62亿美元，年复合增长率达30%。
3、夹缝里求生
一步慢，步步跟不上。
第三代半导体产业，美、日、欧抢跑，中国依然处在落后的位置。
与硅基功率半导体类似，碳化硅产业链也包含衬底、外延、器件及模块和应用等环节，区别在于各环节价值量倒挂。
硅基半导体产业中晶圆成本是大头（约占50%），而碳化硅的附加值集中在上游衬底（成本占比约47%）。所以，碳化硅产业链的实控权其实掌握在衬底供应商手中。
全球范围，Wolfspeed在衬底环节是绝对的霸主，市占率高达62%，II-VI位列其次，但只分了14%的蛋糕。根据Wolfspeed的规划，公司将在2024年前将产能扩充30倍，所以衬底环节一家独大的局面恐怕还要持续下去。
本土头部参与者主要是山东天岳和天科合达。
天科合达是国内第一个起跑的企业，建立了国内第一条碳化硅晶片中试生产线，并且率先研制出6英寸碳化硅晶片。但仅就目前的实力来说，山东天岳更胜一筹，特别是在半绝缘衬底领域。
数据显示，2020年，山东天岳在半绝缘衬底领域的市占率约为30%，相较于2019年的18%有一个显著的提升。根据公司最新的发展规划，已经决定投资投资25亿元向导电型碳化硅衬底扩张，到2026年实现30万片/年的产能规模，届时在这一领域的全球市占率有望达到15%左右。
对于本土企业而言，规模扩张还在其次，最重要的是突破技术瓶颈，目前最先进的8英寸衬底依然仅掌握在Wolfspeed、II-VI和意法半导体等少数外资手中。
1月12日，山东天岳先进科技股份有限公司（简称“天岳先进”）在科创板正式挂牌，盘中市值最高冲到400亿。根据公司之前公布的战略投资者缴款认购名单，宁德时代旗下的问鼎投资、广汽集团旗下的广祺柒号、上汽集团、小鹏等汽车领域的关键公司都进行了战略入股。一方面体现了公司的实力，另一方面也为公司将来在汽车产业链打开局面进行了铺垫。
外延环节，凤凰光学可能是未来“全村唯一的希望”。
在此之前的多年时间里，凤凰光学的股价一直在低位趴着，但从去年9月30日开始，公司的股价直线拉起，在不到两个月的时间里最多涨了近3倍，期间连续收获了11个一字板涨停。
如此反常，根源来自凤凰光学对普兴电子和国盛电子的并购。
国盛电子手里掌握着8英寸硅外延工艺和技术，打破了发达国家的技术垄断，可以能够满足0.09-0.18μm功率器件的制造需求。普兴电子是国内率先稳定量产8英寸硅外延材料的企业，填补了国内技术及产业化的空白。
凤凰光学拿下这两家公司，相当于控制了国内最大的外延片产能，同时也成为未来最有希望起势的本土碳化硅外延片生产商。这样看来，股价妖魔化也自在情理之中。
器件端基本全是外资的天下，根据Yole的数据，2020年，ST、Wolfspeed、ROHM、Infineon、Onsemi的市占率分别为40.5%、14.9%、14.4%、13.3%、7.7%，CR5吃掉了超90%的市场。
国内玩家包含了比亚迪半导体、斯达半导体、中车时代电气、华润微、三安光电等一众企业。
作为比亚迪的子公司，比亚迪半导体是全球第二、中国最大的车规级IGBT厂商。在碳化硅器件领域，公司是全球首家也是国内唯一实现SiC三相全桥模块在电机驱动控制器中大批量装车的企业。按照业内的预估，2023年，比亚迪或将旗下所有电动车全部实现碳化硅基替代，届时比亚迪半导体将拿到大量订单。
作为中国中车旗下的公司，中车时代电气的身份与比亚迪类似，背后都有整车厂站台，在产品导入上有先天优势。目前中车时代电气已经建有6英寸碳化硅产业化基地，掌握芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。
华润微拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化能力，是国内的IDM龙头公司。最近一段时间，华润微相继发布了SiC JBS第二代产品和1200VSiC MOSFET产品。公司在互动平台上透露，最新的SiC MOS产品性能已经可以对标国际一线品牌。
2018年贸易战之后，国内在第三代半导体领域的布局明显加快了速度，去年一共有24笔投资扩产项目落地，投资额近700亿元，同比2019年增长了160%。
虽暂时落后，但产业尚未成熟固化，仍有追赶的可能。背靠强大的内需市场，“以战养战”，不断向上迭代，相信国内外企业的差距势必会不断缩小。